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申请/专利权人：苹果公司
摘要：本发明公开一种光电设备，该光电设备包括承载衬底22，其中下部分布式布拉格反射器DBR叠层24设置在该衬底的区域上并且包括交替的第一电介质层和半导体层。外延层组26,28,30,31,34设置在该下部DBR上方，其中该外延层组包含一种或多种III‑V半导体材料并且限定量子阱结构28和限制层31。上部DBR叠层38设置在该外延层组上方并且包括交替的第二电介质层和半导体层。将电极40,42耦接以将激励电流施加到该量子阱结构。
主权项：1.一种光电设备，包括：承载衬底；下部分布式布拉格反射器DBR叠层，下部DBR叠层设置在所述衬底的区域上并且包括交替的第一电介质层和半导体层；外延层组，所述外延层组设置在所述下部DBR上方，其中所述外延层组包含一种或多种III-V半导体材料并且限定：量子阱结构；和限制层；上部DBR叠层，所述上部DBR叠层设置在所述外延层组上方并且包括交替的第二电介质层和半导体层；和电极，所述电极被耦接以便将激励电流施加到所述量子阱结构，其中所述电极中的至少一个电极包括金属环，所述金属环靠近所述量子阱结构设置在DBR叠层中的至少一个DBR叠层的内侧处；以及一个或多个金属通孔，所述一个或多个金属通孔穿过所述DBR叠层中的所述至少一个DBR叠层，以便将所述DBR叠层中的所述至少一个DBR叠层的所述内侧处的所述金属环连接到所述DBR叠层中的所述至少一个DBR叠层的外侧上的电触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苹果公司 具有电介质DBR的磷化铟VCSEL
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