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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种SiC抛光片无损检测与统计的方法，首先清洗待检测抛光片、镂空固定抛光片，将载有抛光片的载片平台固定在光学显微镜下，以抛光片的边缘位置为基准调整光强调和聚焦度，对抛光片进行扫描、统计体缺陷和划分等级。该方法实现抛光片的无损检测，全面监控抛光片的质量，避免了抽检造成不良品的漏检和抛光片的报废；抛光片镂空置于载片台上，无体缺陷区域呈现黑色背景，利用体缺陷对光线的散射呈现可观察的亮光斑，通过改变光强大小实现体缺陷尺寸的放大，实现纳米级别的体缺陷的有效识别；对体缺陷的种类、位置和密度进行标识和统计，提升了抛光片质量监控的精度和高度，检测的简便度和准确率。
主权项：1.一种SiC抛光片无损检测与统计的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1清洗待检测抛光片；S2借用载片平台镂空固定抛光片；S3将载有抛光片的载片平台固定在光学显微镜物镜下方；S4打开显微镜电源开关与测试软件，以抛光片的边缘位置为基准调整光强调整到合适的刻度确保抛光片边缘的图像清晰；S5调节物镜的焦点聚焦在抛光片的正表面；S6从抛光片的左上角开始，沿着载片平台X轴和Y轴移动进行扫描；S7分类计算并统计体缺陷的密度和分布面积占比，对抛光片进行等级分类。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种SiC抛光片无损检测与统计的方法
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