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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种嵌入式闪存及其制造方法。所述嵌入式闪存的制造方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括存储区域和逻辑区域，存储区域包括选择区域和浮栅区域；形成连续分布于存储区域和逻辑区域的第一栅极材料层；形成覆盖浮栅区域上的第一栅极材料层的控制栅介质材料层；形成覆盖第一栅极材料层和控制栅介质材料层的第二栅极材料层；图案化第二栅极材料层、第一栅极材料层和控制栅介质材料层，形成逻辑栅极、选择栅极、浮置栅极和控制栅极。本发明减少了嵌入式闪存制造过程中所需要使用的光罩的数量，降低了制造成本。
主权项：1.一种嵌入式闪存的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括存储区域以及位于所述存储区域外部的逻辑区域，所述存储区域包括选择区域和浮栅区域；形成连续分布于所述存储区域和所述逻辑区域的第一栅极材料层；形成覆盖所述浮栅区域上的所述第一栅极材料层的控制栅介质材料层；形成覆盖所述第一栅极材料层和所述控制栅介质材料层的第二栅极材料层；图案化所述第二栅极材料层、所述第一栅极材料层和所述控制栅介质材料层，所述逻辑区域剩余的所述第二栅极材料层和所述第一栅极材料层共同形成逻辑栅极，所述选择区域剩余的所述第二栅极材料层和所述第一栅极材料层共同作为选择栅极，所述浮栅区域剩余的所述第一栅极材料层作为浮置栅极，所述浮栅区域剩余的所述控制栅介质材料层作为控制栅介质层，且所述浮栅区域剩余的所述第二栅极材料层作为控制栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 嵌入式闪存及其制造方法
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