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申请/专利权人：江苏奥首材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种低腐蚀芯片光刻胶清洗液及其制备方法与用途。所述的光刻胶清洗液按照重量份计算，包括如下组分：季铵氢氧化物5‑15份；烷醇胺7‑30份；有机溶剂40‑90份；复配型缓蚀剂0.5‑5份，其中复配型缓蚀剂为苷类化合物和小檗碱及其衍生物的混合物。本发明的光刻胶清洗液使用了复配型缓蚀剂，可以协同作用保护金属和基材不受腐蚀，且保护能力大幅度提升。本发明的清洗液含有季铵氢氧化物，具有对半导体中光刻胶的快速去除能力，同时对金属具有低的腐蚀速率。本发明的清洗液无需加入有毒的缓蚀剂，对人体无害，亦可实现良好的金属保护效果。
主权项：1.一种低腐蚀芯片光刻胶清洗液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：季铵氢氧化物5-15份；烷醇胺7-30份；有机溶剂40-90份；复配型缓蚀剂0.5-5份；其中，所述的复配型缓蚀剂至少包含苷类化合物和小檗碱及其衍生物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏奥首材料科技有限公司 一种低腐蚀芯片光刻胶清洗液及其制备方法与用途
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