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一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法 

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申请/专利权人:中国计量科学研究院

摘要:本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法。一个第一环路电极、一个第一约瑟夫森结构与一个第二约瑟夫森结构形成的SQUID环路。通过负极连接结构与正极连接结构连接相邻的两个SQUID环路,形成SQUID阵列。通过环路电极将第一约瑟夫森结构与第二约瑟夫森结构连接,使得SQUID环路中形成串联电感结构。因此,通过一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列,采用一阶梯度简单结构,耦合结构简单,有效抵消外界磁场干扰。SQUID环路与输入线圈和反馈线圈的耦合方式均采用上下重叠耦合方式,且SQUID环路通过串联电感的方式,增大了与输入线圈和反馈线圈的耦合面积。

主权项:1.一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列,其特征在于,包括:多个环路电极,每个所述环路电极具有第一端与第二端;输入线圈,设置于所述多个环路电极的表面,且所述输入线圈与所述多个环路电极绝缘设置;反馈线圈,与所述输入线圈间隔设置,且所述反馈线圈围绕所述多个环路电极设置;所述输入线圈用于输入超导转变边缘探测器信号,所述反馈线圈用于磁通锁定;多个第一约瑟夫森结构,每个所述第一约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于每个所述环路电极的第一端;多个第二约瑟夫森结构,每个所述第二约瑟夫森结构的第一超导薄膜结构设置于每个所述环路电极的第二端;多个正极连接结构,每个所述正极连接结构与每个所述环路电极的第二端连接;多个负极连接结构,每个所述负极连接结构分别与所述第一约瑟夫森结构的第二超导薄膜结构和所述第二约瑟夫森结构的第二超导薄膜结构连接;一个所述环路电极对应的所述负极连接结构与相邻一个所述环路电极对应的所述正极连接结构连接;其中,每个所述环路电极包括第一曲线结构、第二曲线结构以及第三曲线结构;所述第二曲线结构设置于所述第一曲线结构与所述第三曲线结构之间;所述第一曲线结构的第一端与所述第二曲线结构的第一端连接,所述第一曲线结构的第二端与所述第三曲线结构的第一端连接;所述第二曲线结构的第二端为所述环路电极的第一端,所述第三曲线结构的第二端为所述环路电极的第二端。

全文数据:

权利要求:

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