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申请/专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
摘要：本发明公开了一种混合键合结构及其制备方法。所述混合键合结构包括相对设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和第二衬底上分别设置第一键合层和第二键合层，二者键合形成键合界面；第一键合层和或所述第二键合层中设置有具有110晶面择优取向的铜键合点，所述铜键合点包括孪晶组织，孪晶组织包括孪晶片层，孪晶片层主要沿晶粒生长方向夹角45°分布；具有所述孪晶片层的晶粒在所述铜键合点的晶粒总数中的占比≥50％，和或所述孪晶组织的体积占所述铜键合点总体积的比值≥50％。本发明的混合键合结构能够有效地提高芯片间的结合力，同时能保证较好的电气连接，而且铜键合点具有优异的组织热稳定性和力学性能，提升了服役可靠性。
主权项：1.一种混合键合结构，其特征在于，所述混合键合结构包括相对设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上设置有第一键合层，所述第二衬底上设置有第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层键合形成键合界面；所述第一键合层和或所述第二键合层中设置有铜键合点，所述铜键合点具有110晶面择优取向，所述铜键合点包括孪晶组织，所述孪晶组织包括孪晶片层，所述孪晶片层主要沿晶粒生长方向夹角45°分布；具有所述孪晶片层的晶粒在所述铜键合点的晶粒总数中的占比≥50％，和或所述孪晶组织的体积占所述铜键合点总体积的比值≥50％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院深圳先进技术研究院 一种混合键合结构及其制备方法
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