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申请/专利权人：X-FAB全球服务有限公司
摘要：一种形成光敏半导体结构的方法，该方法包括：提供包括半导体层的半导体晶片，该半导体层包括光敏区域；提供栅极结构，该栅极结构包括位于半导体层上的绝缘层和位于绝缘层上的多晶硅层；在栅极结构上设置接触停止层，其中，接触停止层覆盖光敏区域；提供蚀刻掩模，蚀刻掩模确定要在光敏区域上方在接触停止层中形成的开口的位置和宽度；使用蚀刻掩模蚀刻接触停止层以形成所述开口，其中，所述多晶硅层被用作第一蚀刻停止层。使用所述蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层，其中，所述绝缘层被用作第二蚀刻停止层；以及提供多个金属层和位于所述多个金属层的金属层之间的多个介电层，所述多个金属层包括电连接到所述半导体层的第一金属层。
主权项：1.一种形成光敏半导体结构的方法，所述方法包括：提供包括半导体层的半导体晶片，所述半导体层包括光敏区域；提供栅极结构，所述栅极结构包括位于所述半导体层上的绝缘层和位于所述绝缘层上的多晶硅层；在所述栅极结构上设置接触停止层，其中，所述接触停止层覆盖所述光敏区域；提供蚀刻掩模，所述蚀刻掩模确定要在所述光敏区域上方在所述接触停止层中形成的开口的位置和宽度；使用所述蚀刻掩模蚀刻所述接触停止层以形成所述开口，其中，所述多晶硅层被用作第一蚀刻停止层；使用所述蚀刻掩模蚀刻所述多晶硅层，其中，所述绝缘层被用作第二蚀刻停止层；以及提供多个金属层和位于所述多个金属层的金属层之间的多个介电层，所述多个金属层包括电连接到所述半导体层的第一金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： X-FAB全球服务有限公司 光敏半导体结构
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