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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
摘要:本申请公开了一种改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性的方法,包括:S1:将晶圆放置到热退火炉管的腔体中,所述晶圆包括衬底和形成在衬底表面的多晶硅层,所述多晶硅层中注入有磷;S2:对所述晶圆进行热退火工艺,同时向所述热退火炉管的腔体中通入氧气,以在所述多晶硅层表面形成二氧化硅层;S3:结束所述热退火工艺,并从所述热退火炉管的腔体中取出所述晶圆。本申请通过上述方案,可以改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性。
主权项:1.一种改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性的方法,其特征在于,包括:S1:将晶圆放置到热退火炉管的腔体中,所述晶圆包括衬底和形成在衬底表面的多晶硅层,所述多晶硅层中注入有磷;S2:对所述晶圆进行热退火工艺,同时向所述热退火炉管的腔体中通入氧气,以在所述多晶硅层表面形成二氧化硅层;S3:结束所述热退火工艺,并从所述热退火炉管的腔体中取出所述晶圆。
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百度查询: 华虹半导体(无锡)有限公司 改善热退火工艺后晶圆间电阻率均匀性的方法
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