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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法，本发明的优点在于：1、本发明反熔丝存储单元电路是纯组合电路，相比时序电路，在延迟若干时间之后，所有通路都被关闭，且整个电路没有逻辑动作，静态功耗更低，功耗近似为0；2、本发明反熔丝存储单元电路通过开关和逻辑运算模块的设计，实质上构成了两个正反馈回路，使得读出电路可以更可靠的读出“0”或“1”；3、本发明反熔丝存储单元电路可以省去复杂的时序控制部分，甚至读出电路的输出OUTAOUTB可以不用锁存，直接作为反熔丝的编码输出。4、本发明反熔丝存储单元电路版图布局布线灵活。
主权项：1.一种反熔丝存储单元电路，其特征在于，包括：反熔丝器件；开关模块，耦接于所述反熔丝器件；选择模块，耦接于所述开关模块；控制模块，分别耦接于所述反熔丝器件和所述开关模块；其中，所述控制模块用于根据所述反熔丝器件的击穿状态，切换所述开关模块的通断模式；编程时所述控制模块控制所述开关模块打开，待机时所述控制模块控制所述开关模块关闭，正常工作时所述控制模块控制所述开关模块开启。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法
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