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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少电子溢流效应，提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，提高电子与空穴辐射复合效率，减少漏电，提升发光二极管的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、氮化物插入层、电子阻挡层、P型GaN层；所述氮化物插入层包括依次沉积在所述多量子阱层上的AlN层、P型含Ga氮化物层、Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层和含Ga氮化物层；所述P型含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐降低；所述含Ga氮化物层在生长过程中生长温度逐渐升高；所述Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层采用下述方法制得：先生长非掺杂含Ga氮化物层，生长完成后关闭金属有机化合物源，但不关闭N源氨气，并保持氨气流量不变，预通氨气5s~50s后开通Mg源，得到Mgδ掺杂层，交替生长所述非掺杂含Ga氮化物层和所述Mgδ掺杂层，得到所述Mgδ掺杂P型含Ga氮化物层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、LED
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