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等离子体处理方法及等离子体处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明的例示性实施方式所涉及的等离子体处理方法包括通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内由成膜气体生成等离子体的工序。等离子体处理方法还包括通过将源自等离子体的化学物种堆积在腔室的侧壁的内壁面上而在内壁面上形成保护膜的工序。在形成保护膜的工序中,从直流电源装置向等离子体处理装置的上部电极周期性地施加脉冲状的负极性直流电压。

主权项:1.一种等离子体处理方法,其利用等离子体处理装置执行,所述等离子体处理装置具备:腔室,包含具有内壁面的侧壁;基板支撑器,包含设置于所述腔室内的下部电极;上部电极,设置于所述基板支撑器的上方;高频电源,用于在所述腔室内生成等离子体;及直流电源装置,与所述上部电极电连接,所述直流电源装置构成为以包含第1期间和其余的全部期间即第2期间的周期周期性产生脉冲状的负极性直流电压,该等离子体处理方法包括:通过从所述高频电源供应高频电力而在所述腔室内由成膜气体生成等离子体的工序;及通过将源自所述成膜气体的所述等离子体的化学物种堆积在所述内壁面上而在所述内壁面上形成保护膜的工序,在形成保护膜的所述工序中,在所述第1期间从所述直流电源装置向所述上部电极施加所述脉冲状的负极性的直流电压,在所述第2期间将所述直流电源装置的输出电压设定为零伏特,由此,从所述直流电源装置向所述上部电极以上述周期周期性地施加所述脉冲状的负极性直流电压。

全文数据:

权利要求:

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