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等离子体CVD装置及膜的制造方法 

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申请/专利权人:日东电工株式会社

摘要:一种等离子体CVD装置1,其具备一对成膜辊2A、2B、一对磁场产生部件3A、3B、一对位置调整部件4A、4B、以及气体供给部5。一对成膜辊2A、2B相互分离地对置配置。一对磁场产生部件3A、3B配置于一对成膜辊2A、2B各自的内部。一对磁场产生部件3A、3B使一对成膜辊2A、2B之间产生磁场。一对位置调整部件4A、4B分别调整一对磁场产生部件3A、3B的位置。气体供给部5向一对成膜辊2A、2B之间供给成膜气体。一对位置调整部件4A、4B构成为调整一对磁场产生部件3A、3B的位置,以使一磁场产生部件3A、3B和气体供给部之间的距离、与另一磁场产生部件3A、3B和气体供给部之间的距离相同。

主权项:1.一种等离子体CVD装置,其具备:一对成膜辊,其相互分离地对置配置;一对磁场产生部件,其配置于一对所述成膜辊各自的内部,使一对所述成膜辊之间产生磁场;一对位置调整部件,其分别调整一对所述磁场产生部件的位置;气体供给部,其向一对所述成膜辊之间供给成膜气体,一对所述位置调整部件构成为调整一对所述磁场产生部件的位置,以使一所述磁场产生部件的中心和所述气体供给部之间的距离、与另一所述磁场产生部件的中心和所述气体供给部之间的距离相同。

全文数据:

权利要求:

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