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一种新型MPCVD生长金刚石自动产线装置 

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申请/专利权人:安徽碳索芯材科技有限公司

摘要:本发明公开了一种新型MPCVD生长金刚石自动产线装置,包括:晶种传送腔室、MPCVD生长炉体、真空传送腔室、切割抛光检测腔室、半成品成品传送腔室,所述MPCVD生长炉体与晶种传送腔室的侧壁相连接,所述MPCVD生长炉体包括微波电源、三销钉、波导、生长腔室、PLC控制面板,所述三销钉设置在波导的顶部,所述微波电源固定连接在波导靠近晶种传送腔室的一端。本发明集成了金刚石送样、生长、切割、抛光、清洗、缺陷检测为一体的自动产线装置,不仅能够进行连续送样和生长,而且能够高效、准确检测材料的缺陷和基础参数,确保材料在进入下一环节的良率,以及自动产线的运行稳定性。

主权项:1.一种新型MPCVD生长金刚石自动产线装置,包括:晶种传送腔室(18)、MPCVD生长炉体、真空传送腔室(17)、切割抛光检测腔室(19)、半成品成品传送腔室(20),其特征在于,所述MPCVD生长炉体与晶种传送腔室(18)的侧壁相连接,所述MPCVD生长炉体包括微波电源(1)、三销钉(2)、波导(3)、生长腔室(5)、PLC控制面板,所述三销钉(2)设置在波导(3)的顶部,所述微波电源(1)固定连接在波导(3)靠近晶种传送腔室(18)的一端,所述微波电源(1)位于晶种传送腔室(18)的上方,所述波导(3)远离微波电源(1)的侧壁设置有活塞(4),所述波导(3)安装在生长腔室(5)的顶部,所述生长腔室(5)与晶种传送腔室(18)相连接,所述生长腔室(5)包括基台(8)、可伸缩钼台(16),所述基台(8)安装在生长腔室(5)的内底壁,所述晶种传送腔室(18)、生长腔室(5)、半成品成品传送腔室(20)的内底壁均安装有真空传输通道(11),所述真空传输通道(11)位于基台(8)的一侧,所述可伸缩钼台(16)安装在生长腔室(5)的内壁,所述可伸缩钼台(16)位于真空传输通道(11)的上方,所述基台(8)的上方设置有等离子体(6),所述等离子体(6)位于可伸缩钼台(16)的一侧,所述真空传送腔室(17)与生长腔室(5)远离晶种传送腔室(18)的侧壁相连接,所述真空传送腔室(17)包括机械手(12),所述机械手(12)固定连接在真空传送腔室(17)的内底壁,所述切割抛光检测腔室(19)与真空传送腔室(17)远离生长腔室(5)的侧壁相连接,所述切割抛光检测腔室(19)包括激光源(14)、CT探头(15)、放置台,所述放置台安装在切割抛光检测腔室(19)的内底壁,所述激光源(14)安装在切割抛光检测腔室(19)的内顶壁,所述激光源(14)位于放置台的正上方,所述切割抛光检测腔室(19)安装有水泵(13),所述CT探头(15)安装在切割抛光检测腔室(19)的内壁,所述CT探头(15)位于放置台的斜上方,所述半成品成品传送腔室(20)与切割抛光检测腔室(19)远离真空传送腔室(17)的侧壁相连接,所述半成品成品传送腔室(20)内部的真空传输通道(11)一端与放置台相接触,所述基台(8)、真空传输通道(11)、放置台的顶部均放置有样品(7)。

全文数据:

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