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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开一种LPCVD薄膜应力计算方法及系统，通过测量基板的厚度、两侧均淀积有LPCVD薄膜的基板的曲率和薄膜的厚度，通过计算得到LPCVD薄膜的应力，与传统的LPCVD薄膜应力计算方法相比，本发明降低了薄膜应力测试过程中经受热过程后产生的基板曲率变化的问题，不同于传统测试方法需在薄膜淀积前后在量测机台测试基板曲率变化的问题，新方法仅在薄膜形成后进行测试，量测设备状态不影响淀积系统。提高了双层薄膜应力测试的便捷性。
主权项：1.一种LPCVD薄膜应力计算方法，其特征在于，包括以下步骤：获取基板厚度，在基板两侧淀积LPCVD薄膜；测试两侧均淀积有LPCVD薄膜的基板的曲率；刻蚀基板其中一侧的LPCVD薄膜；测试仅一面有LPCVD薄膜的基板的曲率和薄膜的厚度；基于基板曲率的差值、基板的厚度和薄膜的厚度得到LPCVD薄膜的应力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种LPCVD薄膜应力计算方法及系统
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