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申请/专利权人：学校法人名城大学;斯坦雷电气株式会社
摘要：提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层12，帽层层叠工序，在执行第一层层叠工序后，在n‑AlInN层12的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层13，以及第二层层叠工序，在执行帽层层叠工序后，在GaN帽层13的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层14。该氮化物半导体发光元件的制造方法中，在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向反应炉内供给氢气，至少对GaN帽层13的表面进行清洗。
主权项：1.一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用金属有机化合物气相生长法，其中，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的第一层，帽层层叠工序，在执行所述第一层层叠工序后，在所述第一层的表面结晶生长出组分中包含Ga的帽层，以及第二层层叠工序，在执行所述帽层层叠工序后，在所述帽层的表面结晶生长出组分中包含所述Ga以及所述In中的至少任意一种的第二层；在执行所述帽层层叠工序后且执行所述第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在所述氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向所述反应炉内供给氢气，至少对所述帽层的表面进行清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 学校法人名城大学 斯坦雷电气株式会社 氮化物半导体发光元件的制造方法以及氮化物半导体发光元件
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