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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学
摘要：氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。
主权项：1.一种氮化物半导体膜的形成方法，其具备如下工序：将对象物加热到第一温度的加热工序；在所述加热工序后，在关闭设置在所述对象物和氮化镓的靶之间的关闭器的状态下，在包含氮气和氩气的真空腔室内使所述氮化镓的靶预溅射的预溅射工序；在打开所述关闭器的状态下，在包含所述氮气和所述氩气的所述真空腔室内使所述氮化镓的靶间歇地溅射的溅射工序；在使所述氮化镓的靶间歇地溅射的溅射工序中，使在所述真空腔室内从所述氮化镓的靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在第二温度为560℃以上且650℃以下的所述对象物上，所述第二温度比所述第一温度高，其中，将向所述真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下，将使所述氮化镓的靶间歇地溅射的溅射工序中的功率密度设为2Wcm2以上且40Wcm2以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 国立大学法人大阪大学 氮化物半导体膜的形成方法
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