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申请/专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
摘要：本公开实施例提供一种氮化铝薄膜的制备方法，包括：在衬底上制备氮化铝薄膜半成品；采用第一物理气相沉积工艺在半成品上继续沉积氮化铝，得到氮化铝薄膜成品；所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95：5。在氮气流量百分比极高的条件下，溅射铝原子在沉积至氮化铝薄膜表面之前与氮气（氮原子）形成微小晶粒，微小晶粒以均匀细化沉积的方式在氮化铝薄膜表面沉积，使得氮化铝薄膜表面呈现均匀絮状结构。前述的絮状结构可以更好地适配外延层的生长，便于外延重结晶，减小外延层生长位错及应力，提高外延质量。
主权项：1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备氮化铝薄膜半成品；采用第一物理气相沉积工艺在所述半成品上继续沉积氮化铝，得到氮化铝薄膜成品；所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95：5。
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