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申请/专利权人：SOITEC公司
摘要：本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构1的方法，所述方法包括以下步骤：‑连接支撑衬底2与半导体层4的供体衬底，所述支撑衬底2具有大于或等于500Ω.cm的电阻率并且包含间隙氮6和间隙氧7，所述支撑衬底2中的间隙氧6的初始浓度在15旧ppma至25旧ppma之间，电绝缘层3位于支撑衬底2和供体衬底之间的界面处；以及‑将所述半导体层4转移到支撑衬底上，所述方法还包括成核步骤和稳定步骤，所述成核步骤包括热处理以沉淀部分氧7和氮6从而形成沉淀物8的核9，所述稳定步骤包括热处理以使所述核生长至在10nm至50nm之间的尺寸。
主权项：1.用于制造绝缘体上半导体类型的多层结构1的方法，所述方法包括以下阶段：a组装由半导体材料制成的支撑衬底2与用于待转移的半导体层4的供体衬底，所述支撑衬底2具有大于或等于500Ω.cm的电阻率并且包含间隙氮6和间隙氧7，所述支撑衬底2中的间隙氧6的初始浓度在15旧ppma至25旧ppma之间根据标准ASTM79测量，电绝缘层3位于支撑衬底2和供体衬底之间的界面处，b将所述半导体层4转移到支撑衬底上，所述方法另外包括成核阶段c和稳定阶段d，所述成核阶段c包括用于以受控的方式沉淀至少部分的间隙氧7和至少部分的间隙氮6从而形成氧沉淀物和氮沉淀物8的晶种9的热处理，所述稳定阶段d包括用于使氧沉淀物和氮沉淀物的所述晶种生长至在10nm至50nm之间的尺寸的热处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SOITEC公司 用于制造绝缘体上半导体多层结构的方法
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