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申请/专利权人：矽系半导体科技有限公司
摘要：第一电极基座12，与第一电极基座相对的第二电极基座11，设置在第一电极基座上的第一电极侧凸部12aq‑1、12aq、12aq+1、…，其设置在第一电极基部，具有与振动方向倾斜45°以内的第一阶梯侧壁，第二电极侧凸部11ap‑1、11ap、11ap+1、……，设置在第二电极基部，以至少一部分与第一电极侧凸部交叉的方式相对，具有以与第一阶梯侧壁相同的倾斜角倾斜的第二阶梯侧壁。施加在第一和第二电极基座之间的电压会使第一或第二电极基座沿振动方向振动。至少一部分依靠第一和第二阶梯侧壁之间的电力线产生电容器，第一和第二电极基座之间振动腔中的静电能量增加。
主权项：1.声学元件，其特征在于，具有平坦主面的平板状的第一电极基座，具有平坦主面的平板状的第二电极基座，与所述第一电极基座平行且相对，第一电极侧凸部，设置在所述第一电极基座，具有由相对于振动方向在45°以内倾斜角的平面构成的第一阶梯侧壁，第二电极侧凸部，其设置在所述第二电极基座，至少一部分与所述第一电极侧凸部交叉方式对置，具有由与所述第一阶梯侧壁以相同倾斜角倾斜的平面构成的第二阶梯侧壁，通过施加在所述第一电极基座和所述第二电极基座之间的电压，所述第一电极基座或第二电极基座在所述振动方向上振动，生成至少一部分依赖于所述第一阶梯侧壁和所述第二阶梯侧壁之间的电力线的电容器，所述第一电极基座和所述第二电极基座夹持的振动空腔内的静电能增大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽系半导体科技有限公司 声学元件和声学元件集成电路
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