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一种多层转角过渡金属硫族化合物及其制备方法 

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申请/专利权人:华南师范大学

摘要:本发明涉及一种多层转角过渡金属硫族化合物及其制备方法,包括如下步骤:在氩气氢气氛围下,分别加热硫源、过渡金属氧化物和旋涂有氧化硅纳米球的300nm氧化硅硅衬底,产生气态硫和气态过渡金属氧化物,使气态硫和气态过渡金属氧化物反应,通过氧化硅纳米球作为反应初期的形核点在300nm氧化硅硅衬底上沉积多层转角过渡金属硫族化合物。与现有技术相比,本发明制备的多层转角过渡金属硫族化合物中,每相邻两层过渡金属硫族化合物具有0°~60°范围内的任意角度的层间转角,且至少有两个层间转角的角度不相等,更多层数和更多随机转角的多层转角过渡金属硫族化合物具有新奇的物理现象,可以为研究转角体系提供样品和测试的可能。

主权项:1.一种多层转角过渡金属硫族化合物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在氩气氢气氛围下,分别加热硫源、过渡金属氧化物和旋涂有氧化硅纳米球的氧化硅硅衬底,产生气态硫和气态过渡金属氧化物,使气态硫和气态过渡金属氧化物反应,通过氧化硅纳米球作为反应初期的形核点在氧化硅硅衬底上沉积多层转角过渡金属硫族化合物。

全文数据:

权利要求:

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