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一种核用锆合金表面Cr-Si系涂层及其制备方法 

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申请/专利权人:重庆文理学院

摘要:一种核用锆合金表面的Cr‑Si系涂层,是以Cr靶和Si靶通过磁控溅射制得,涂层中Si的含量控制在7.5~22.0at.%,所述Cr靶和Si靶的电源驱动分别为直流电源和射频电源,其中Cr靶的溅射功率为300W,Si靶的功率为100~300W。本发明通过在锆合金基体表面制备的Cr‑Si涂层,具有优异的高温抗氧化性能,氧化过程中,在基体和涂层的界面形成了Cr2O3SiO2双氧化层,有效延缓了Cr2O3的失效,在1200℃水蒸气环境下进行氧化,氧化增重低至1.4mgcm2,同时通过Si的掺杂,有效提高了涂层的机械性能,硬度达到14.64GPa,增强了其耐磨减摩性能。

主权项:1.一种核用锆合金表面的Cr-Si系涂层的制备方法,其特征在于:通过磁控溅射,以Cr靶和Si靶,在锆合金基底表面溅射沉积出Si含量为7.5~22.0at.%的Cr-Si系涂层,所述Cr靶和Si靶的电源驱动分别为直流电源和射频电源,其中Cr靶的溅射功率为300W,Si靶的功率为100~300W,所述磁控溅射的真空度为8×10-4Pa,沉积温度为380~420℃,基体偏压为-40~-60V,沉积气压为0.3~0.5Pa,沉积时间为4~6h。

全文数据:

权利要求:

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