龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：恩智浦有限公司
摘要：公开了一种制造SiBJT装置的方法，所述方法包括：先前加工步骤；在所述SiBJT装置的有源区域上方形成保护性氧化物层；在所述保护性氧化物上沉积介电层和包括SiGe的层堆叠；蚀刻所述介电层和所述包括SiGe的层堆叠，借此将它们从所述SiBJT的所述有源区域移除；跨所述装置沉积多晶硅层和另外的介电层；蚀刻所述多晶硅基极和所述另外的介电层，借此将其从所述有源区域移除；通过所述保护性氧化物层将p型掺杂剂植入到所述有源区域中；蚀刻所述保护性氧化物层，借此将其移除，并在所述介电层下方留下空隙；对所述SiBJT装置进行热处理，借此填充所述多晶硅基极下方的空隙；以及后续加工步骤。还公开了对应的装置。
主权项：1.一种制造Si双极结晶体管BJT装置200的方法，其特征在于，所述方法包括：先前加工步骤1010；在所述SiBJT装置的至少有源区域上方沉积1020保护性氧化物层216a；在所述保护性氧化物上沉积1030介电层230和包括SiGe的层堆叠232；蚀刻1040所述介电层，和所述包括SiGe的层堆叠，借此将它们从所述SiBJT的所述有源区域移除；跨所述装置沉积1050多晶硅层238和另外的介电层240；蚀刻1060所述多晶硅层和所述另外的介电层，借此将其从所述SiBJT的所述有源区域移除；通过所述保护性氧化物层将p型掺杂剂植入1070到所述SiBJT的所述有源区域中；蚀刻1080所述保护性氧化物层，借此将其移除，并在所述介电层下方留下空隙；对所述SiBJT装置进行热处理1090，借此用来自所述多晶硅层的材料填充所述介电层下方的空隙；以及后续加工步骤1100。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦有限公司 制造Si BJT的方法及对应的装置
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号