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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明涉及集成芯片技术领域，具体为一种基于TSV的异质异构立体堆叠高性能信息处理SiP模块，该模块包括IC载板，IC载板的CS面布置有DSP裸片、DDR3微模组、FLASH、时钟管理器、MCU和电平转换芯片；DDR3微模组包括垂直堆叠的IPD芯片和多层DDR3芯片，IPD芯片焊接于多层DDR3芯片的顶部，DDR3芯片采用RDL二次布线后进行3D同构堆叠；IC载板的SS面布置阵列式BGA焊球；DDR3微模组和DSP芯片通过2.5D‑TSV硅基板以倒扣焊方式进行贴装形成TSV模组。本发明通过TSV、FC、SMD、灌封的方式实现封装，解决了传统的BTIC载板无法满足高密度互连强度和细节距平整度的需求问题。
主权项：1.一种基于TSV的异质异构立体堆叠高性能信息处理SiP模块，其特征在于，包括IC载板8，IC载板8的CS面布置有DSP裸片1、DDR3微模组6、FLASH20、时钟管理器19、MCU18和电平转换芯片17；DDR3微模组6包括垂直堆叠的IPD芯片16和多层DDR3芯片12，IPD芯片16焊接于多层DDR3芯片12的顶部，DDR3芯片12采用RDL二次布线后进行3D同构堆叠；IC载板8的SS面布置阵列式BGA焊球11；DDR3微模组6和DSP芯片1通过2.5D-TSV硅基板2以倒扣焊方式进行贴装形成TSV模组；FLASH20、时钟管理器19、MCU18和电平转换芯片17均采用SMT焊接方式进行装配。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种基于TSV的异质异构立体堆叠高性能信息处理SiP模块
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