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申请/专利权人：艾克瑟尔西斯公司
摘要：本发明题为“用于三维NAND的堆叠架构”。本公开的多个方面涉及形成具有多个存储器区段的堆叠NAND。形成具有多个存储器区段的堆叠NAND可包括在牺牲衬底上形成第一存储器区段。可在衬底上形成逻辑区段。可将逻辑区段键合到第一存储器区段。可从第一存储器区段移除牺牲衬底，并且可形成具有第二牺牲衬底的第二存储器区段并将其键合到第一存储器区段。
主权项：1.一种堆叠存储器，包括：逻辑区段，形成在衬底上；第一存储器区段，被键合到所述逻辑区段，所述第一存储器区段包括一组焊盘；重新分布层，被设置在所述第一存储器区段上，其中所述重新分布层的第一侧被连接到所述一组焊盘，并且所述重新分布层的相对的第二侧包括一组混合焊盘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾克瑟尔西斯公司 用于三维NAND的堆叠架构
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