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制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器 

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

摘要:本发明涉及一种形成三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器。该方法包括以下步骤:提供半导体结构,半导体结构具有衬底、覆盖衬底的堆叠层和覆盖堆叠层的硬掩模层,堆叠层包括交替堆叠的多个第一材料层和多个第二材料层;图案化所述硬掩模层以形成多个开口,多个开口暴露所述堆叠层;通过多个开口在堆叠层中形成多个接触孔,多个接触孔的每个接触孔分别到达各自预定深度的第一材料层;在多个接触孔的每个接触孔侧壁形成绝缘层;在多个接触孔的所述绝缘层内填充保护层;将堆叠层中的所述第一材料层替换为导电层;以及在多个接触孔的每个接触孔中形成接触部。本发明可以克服字线连接区的刻蚀缺陷和接触部对准等问题。

主权项:1.一种三维存储器,包括:堆叠层,包括在第一方向上间隔设置的字线;接触部,沿所述第一方向延伸并贯穿所述字线,所述接触部与被所述接触部贯穿的所述字线相隔离;倒钩部,连接至所述接触部在所述第一方向上的一侧,所述倒钩部沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸,并连接至预定深度的所述字线;栅极隔槽,沿所述第一方向延伸并贯穿所述堆叠层;以及隔离层,所述隔离层位于所述栅极隔槽内。

全文数据:

权利要求:

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