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申请/专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
摘要：本申请公开了一种SONOS存储单元及其制备方法和控制方法、一种存储器，涉及半导体集成电路领域，该SONOS存储单元包括一个晶体管；该晶体管的栅极结构位于第一型掺杂阱上，包括相对接触的栅氧化层和ONO叠层以及覆盖栅氧化层和ONO叠层的多晶硅层，ONO叠层包括层叠的第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层；该晶体管中第二型掺杂的两个源漏区位于第一型掺杂阱内且对应栅极结构两侧；该晶体管的栅极与多晶硅层电连接，第一极和第二极分别与一个源漏区电连接；相当于将传统2TSONOS存储单元中的选择管和存储管合二为一，从而大大减小SONOS存储单元的面积，降低SONOS存储单元的成本，提高SONOS存储单元的集成度。
主权项：1.一种SONOS存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中设置有第一型掺杂阱；位于所述第一型掺杂阱上的栅极结构，所述栅极结构包括沿第一方向相对接触的栅氧化层和ONO叠层，以及位于所述栅氧化层和所述ONO叠层整体背离所述第一型掺杂阱一侧的多晶硅层，所述第一方向平行于所述半导体衬底所在平面；所述ONO叠层包括沿背离所述第一型掺杂阱的方向依次排布的第一氧化层、第二氮化层和第三氧化层，所述第二氮化层和所述多晶硅层之间被所述第三氧化层以及所述栅氧化层所隔离，所述第二氮化层用于存储信息；位于所述第一型掺杂阱内，对应所述栅极结构沿所述第一方向相对的两侧，且为第二型掺杂的第一源漏区和第二源漏区，所述第二源漏区位于所述ONO叠层一侧；与所述多晶硅层电连接的栅极，与所述第一源漏区电连接的第一极以及与所述第二源漏区电连接的第二极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海创飞芯科技有限公司 SONOS存储单元及其制备方法和控制方法、存储器
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