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申请/专利权人：包头市英思特稀磁新材料股份有限公司
摘要：本实用新型公开一种新型海尔贝克阵列磁体结构，包括至少一个阵列，每个所述阵列包括四个呈直线排列的单磁体和导磁体，四个所述单磁体的充磁方向依次为水平向左、竖直向上、水平向右和竖直向下，导磁体位于任意两个单磁体之间。本实用新型的海尔贝克阵列磁体结构在不改变磁体本身的情况下，仅通过增加导磁体，改善磁场分布，达到显著提高海尔贝克阵列结构场强的效果，相较于现有的通过更换钕铁硼磁体牌号或增加钕铁硼磁体的尺寸，本实用新型大大节省了制成成本，简化生产流程。
主权项：1.一种新型海尔贝克阵列磁体结构，其特征在于：包括至少一个阵列，每个所述阵列包括四个呈直线排列的单磁体和至少一个导磁体，四个所述单磁体的充磁方向不同，依次为水平向左的单磁体、竖直向上的单磁体、水平向右的单磁体和竖直向下的单磁体，导磁体位于任意两个单磁体之间。
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百度查询： 包头市英思特稀磁新材料股份有限公司 一种新型海尔贝克阵列磁体结构
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