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金属络合物荧光体、金属络合物荧光体的制造方法、包含金属络合物荧光体的荧光体片及包含荧光体片的发光装置 

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申请/专利权人:日亚化学工业株式会社

摘要:本发明提供具有更长耐久性的稀土金属络合物荧光体、这种稀土金属络合物荧光体的制造方法等。金属络合物荧光体的制造方法包括:准备以化学式I表示的具有两组甲亚胺基的配位体,将其在第一溶剂中溶解而准备溶液1;准备具有以化学式II表示的β‑二酮基配位体且不具有以化学式I表示的配位体的稀土金属络合物,将其在第二溶剂中溶解而准备溶液2;及将上述溶液1和上述溶液2进行混合,所述金属络合物荧光体的发光峰值波长为600nm以上635nm以下。

主权项:1.一种金属络合物荧光体的制造方法,该方法包括:准备以下述化学式I表示的具有两组甲亚胺基的配位体,将其在第一溶剂中溶解而准备溶液1;准备具有以下述化学式II表示的β-二酮基配位体、且不具有以化学式I表示的配位体的稀土金属络合物,将其在第二溶剂中溶解而准备溶液2;及将所述溶液1和所述溶液2进行混合,所述金属络合物荧光体的发光峰值波长为600nm以上635nm以下,化学式I表示的具有两组甲亚胺基的配位体和化学式II表示的β-二酮基配位体如下所示,化学式I: 在化学式I中,A1表示OH基、OD基、SH基或SD基,A2表示选自氢、氘、C1~C30的烷基、C3~C30的环烷基、C1~C30的全卤代烷基及C3~C30的全卤代环烷基,C1~C30的烷基、C3~C30的环烷基、C1~C30的全卤代烷基及C3~C30的全卤代环烷基可以具有选自下述组G中的一个或多个取代基:芳香族基团;全卤代芳香族基团;在环中含有至少一种杂原子的杂芳香族基团;具有直链或支链的C1~C30的烷基;具有直链或支链的C1~C30的全卤代烷基;具有直链或支链的C3~C30的烯基;具有直链或支链的C3~C30的全卤代烯基;C3~C30的环烷基;C3~C30的全卤代环烷基;C3~C30的环烯基;C3~C30的全卤代环烯基;及C3~C30的炔基、以及卤代基,A3表示选自C2~C30的亚烷基,该亚烷基可以具有选自所述组G以及卤代基中的一个或多个取代基,关于A1和甲亚胺基所共同键合的苯环,苯环的未与A1和甲亚胺基键合的相邻两个碳原子可以由-C4H4-连接而形成萘环,该苯环和可形成的萘环还可以具有选自所述组G以及卤代基中的一个或多个取代基;化学式II: 在化学式II中,两个X既可以相同、也可以各自不同,其表示选自所述组G的取代基,Z表示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、甲基、乙基、苯基、氢原子或氘原子。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日亚化学工业株式会社 金属络合物荧光体、金属络合物荧光体的制造方法、包含金属络合物荧光体的荧光体片及包含荧光体片的发光装置

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