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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本申请提供了一种形成沟槽的方法及半导体工艺设备，其中，该方法包括：交替循环执行第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，以在衬底内形成第一沟槽；其中，在每轮总循环中，第一刻蚀步骤用于将衬底从第一掩膜开口暴露出的第一部分刻蚀第一预定深度，第二刻蚀步骤用于将衬底从第一掩膜开口暴露出的第一部分刻蚀第二预定深度，且第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤中的一者产生底部圆角，第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤中的另一者产生微沟槽效应。本方案能有效解决相关技术存在的第一沟槽的底部容易形成圆角或微沟槽，不利于后续制备半导体结构的问题。
主权项：1.一种形成沟槽的方法，其特征在于，应用于待刻蚀膜层，所述待刻蚀膜层包括层叠设置的衬底和掩膜层，所述掩膜层设置有第一掩膜开口，所述方法包括：交替循环执行第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤，以在所述衬底内形成第一沟槽；其中，在每轮总循环中，所述第一刻蚀步骤用于将所述衬底从所述第一掩膜开口暴露出的第一部分刻蚀第一预定深度，所述第二刻蚀步骤用于将所述衬底从所述第一掩膜开口暴露出的所述第一部分刻蚀第二预定深度；并且，在每轮总循环中，所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤中的一者产生底部圆角，所述第一刻蚀步骤和所述第二刻蚀步骤中的另一者产生微沟槽效应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 形成沟槽的方法及半导体工艺设备
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