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申请/专利权人：深圳基本半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种半桥功率模块和全桥功率模组，解决了功率模块热性能差的问题。该模块包括：衬底、在衬底的第一方向上依次间隔排布的第一栅极版图区、交流版图区、第一直流版图区和第二栅极版图区，交流版图区内嵌有第二直流版图区；多个第一功率芯片，间隔排布在交流版图区上，多个第一功率芯片分别与交流版图区、第二直流版图区、第一栅极版图区之间电连接；多个第二功率芯片，间隔排布在第一直流版图区上，多个第二功率芯片分别与第一直流版图区、交流版图区、第二栅极版图区之间电连接。本发明能够提升散热性能、降低寄生电感、改善均流性。
主权项：1.一种半桥功率模块，其特征在于，所述半桥功率模块包括：衬底，在所述衬底的第一方向上依次间隔排布的第一栅极版图区、交流版图区、第一直流版图区和第二栅极版图区，其中，所述交流版图区中包括内嵌的第二直流版图区；多个第一功率芯片，间隔排布在所述交流版图区上，所述多个第一功率芯片与所述交流版图区之间、所述多个第一功率芯片与所述第二直流版图区之间、以及所述多个第一功率芯片与所述第一栅极版图区之间电连接；多个第二功率芯片，间隔排布在所述第一直流版图区上，所述多个第二功率芯片与所述第一直流版图区之间、所述多个第二功率芯片与所述交流版图区之间、以及所述多个第二功率芯片与所述第二栅极版图区之间电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳基本半导体有限公司 一种半桥功率模块和全桥功率模组
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