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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法，本发明通过第二侧墙介质覆盖整个表面并充满内嵌的凹槽，形成第二侧墙，进而在第二侧墙的表面沉积内侧墙牺牲层，并刻蚀掉部分内侧墙牺牲层，使其与第二侧墙介质齐平，进而对第二侧墙进行各向同性刻蚀，刻蚀停止在内侧墙牺牲层的深度处，最后去除内侧墙牺牲层，即可在牺牲层的两侧形成内侧墙。该内侧墙的制备方法可有效减小内侧墙的厚度，并精确控制内侧墙的厚度。此外，本发明在内侧墙的凹陷处进行选择性Si外延，由此可形成连续的Si层，当SiGe牺牲层释放时，即使超薄的内侧墙局部有损伤，也不会对源漏极的GeSi外延层造成损伤，显著提高了环栅堆叠纳米器件的可靠性。
主权项：1.一种环栅堆叠纳米器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在假栅结构的两侧沉积第一侧墙介质，然后刻蚀水平方向的第一侧墙介质，形成第一侧墙7；对鳍片进行源漏刻蚀，在第一侧墙7两侧形成用于制备源漏极12的源漏区；沿源漏区的中心方向刻蚀掉牺牲层2的边缘部分，形成内嵌的凹槽8；沉积第二侧墙介质，使第二侧墙介质覆盖整个表面并充满内嵌的凹槽8，形成第二侧墙9；在第二侧墙9的表面沉积内侧墙牺牲层10；对第二侧墙9进行各向同性刻蚀；去除内侧墙牺牲层10，保留牺牲层2两侧的第二侧墙介质，形成内侧墙11；对第一侧墙7下方的鳍片侧壁进行选择性Si外延，并使鳍片与第一侧墙7对齐；外延生长源漏极12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种环栅堆叠纳米器件及其制备方法
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