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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种具有光场限制效应增强上波导层的氮化镓基半导体激光器。该具有光场限制效应增强上波导层的氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，所述上波导层为光场限制效应增强上波导层；该具有光场限制效应增强上波导层的氮化镓基半导体激光器，通过调控光场限制效应增强上波导层的晶格常数、饱和电子漂移速率、价带有效态密度的峰值位置往上包覆层方向的下降角度及其谷值位置往有源层方向的上升角度，控制上波导层的光场限制分布及变化趋势，使光场远离高损耗的掺杂区，降低光场被杂质吸收和载流子吸收，减少内部光学吸收损耗。
主权项：1.一种具有光场限制效应增强上波导层的氮化镓基半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，其特征在于，所述上波导层为光场限制效应增强上波导层，所述光场限制效应增强上波导层的晶格常数的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为α，所述光场限制效应增强上波导层的晶格常数的谷值位置往有源层方向的上升角度为β，其中：5°≤α≤β≤90°；所述光场限制效应增强上波导层的共价键能的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为γ，所述光场限制效应增强上波导层的饱和电子漂移速率的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为θ，所述光场限制效应增强上波导层的价带有效态密度的峰值位置往上包覆层方向的下降角度为δ，所述光场限制效应增强上波导层的轻空穴有效质量的谷值位置往上包覆层方向的上升角度为σ，其中：10°≤σ≤δ≤γ≤θ≤90°；所述光场限制效应增强上波导层的共价键能的峰值位置往有源层方向的下降角度为φ，所述光场限制效应增强上波导层的饱和电子漂移速率的谷值位置往有源层方向的上升角度为ψ，所述光场限制效应增强上波导层的价带有效态密度的谷值位置往有源层方向的上升角度为μ，所述光场限制效应增强上波导层的轻空穴有效质量的峰值位置往有源层方向的下降角度为υ，其中：20°≤υ≤μ≤φ≤ψ≤90°。
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百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有光场限制效应增强上波导层的半导体激光器
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