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申请/专利权人：无锡中微高科电子有限公司
摘要：本发明提供一种改善倒扣焊器件凸点焊接强度的后处理方法，包括以下步骤：步骤S1.提供相同凸点结构的芯片和基板，芯片包括硅层和间隔设置在硅层上的第一凸点，基板包括基体层和间隔设置在基体层上的第二凸点，第一凸点和第二凸点的材料相同，将第一凸点和第二凸点焊接面上涂覆一层助焊剂；步骤S2.将芯片第一凸点和基板的第二凸点对齐组装，组装完成后，倒装键合得到器件；步骤S3.将器件在温度T1下快速加热1min，随后将器件在温度T2下保温t1，最后将器件冷却至温度T3后取出。本发明通过对凸点焊接后处理，可释放凸点内部残余应力和加强扩散界面强度，从而提高焊接强度，极大适用于微凸点的焊接工艺，可以弥补高集成化、微型化器件强度缺陷和可靠性问题。
主权项：1.一种改善倒扣焊器件凸点焊接强度的后处理方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1.提供相同凸点结构的芯片（1）和基板（2），芯片（1）包括硅层（1-1）和间隔设置在硅层（1-1）上的第一凸点（1-2），所述基板（2）包括基体层（2-1）和间隔设置在基体层（2-1）上的第二凸点（2-2），所述第一凸点（1-2）和第二凸点（2-2）的材料相同，将第一凸点（1-2）和第二凸点（2-2）焊接面上涂覆一层助焊剂；步骤S2.将芯片（1）第一凸点（1-2）和基板（2）的第二凸点（2-2）对齐组装，组装完成后，通过焊接的方式进行倒装键合，清洗去除助焊剂，得到器件；步骤S3.将器件在温度T1下快速加热1min，随后将器件放入烘箱中在温度T2下保温t1，最后将器件随烘箱冷却至温度T3后取出；第一凸点（1-2）和第二凸点（2-2）材料均为铜和锡，第一凸点（1-2）和第二凸点（2-2）均包括铜柱（1-3）和锡帽（1-4），所述硅层（1-1）、基体层（2-1）上均设置铜柱（1-3），所述铜柱上设置锡帽（1-4），所述铜柱（1-3）厚度不小于3μm，锡帽（1-4）厚度不小于2μm，芯片（1）与基板（2）采用回流焊接的方式进行倒装键合形成金属间化合物CuxSny；步骤S3中T1为260℃，T2为150℃，t1为30min，T3为70℃；t1和随烘箱冷却的总时间＜1h。
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