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申请/专利权人：俄罗斯国立科技大学莫斯科钢铁合金研究所
摘要：本发明涉及薄膜混合半导体光电转换器的技术。具有异质结和经Ti3C2TxMXene修饰的层的薄膜混合光电转换器，用于可见光光谱和UV‑IR区域380nm至780nm。具有金属有机APbX3钙钛矿吸收层的装置以n‑i‑p和p‑i‑n构型制造，通过在结АВХ3和接触界面处引入Ti3C2TxMXene薄层5‑50nm来稳定具有碳电极和稳定特性的结构地面应用的标准照度下的Pmax，光谱1.5AMG，Pinc100mWcm2，即APbX3钙钛矿吸收层MXene，电子传输层MXene，阴极MXene，以及通过掺杂碳烯以降低功函数，方法是将MXene以适当的重量百分比掺入大量材料中，以提供具有更高电荷收集效率的欧姆接触。
主权项：1.一种薄膜混合光电转换器，由透明基板，依次沉积的透明电极和光敏层组成，所述光敏层位于选择性导电的p型和n型传输层之间，非透明电极位于顶部，其中，所述光敏层由APbX3混合钙钛矿制成，其中A是有机阳离子或无机阳离子，其中A选自CH3NH3+、CH5N2+、Cs+、CH6N3+和NH3BuCO2H+；X3是卤元素I或Br或Cl，并且在所有异质结边界和金属半导体接触处放置5-50nm厚的Ti3C2TxMXene层，其中Tx是封端2D材料表面的官能团，Τx为O-、OH-、F-或其混合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 俄罗斯国立科技大学莫斯科钢铁合金研究所 MXene改进型混合光电转换器
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