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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：衬底为第一掺杂类型；外延层位于衬底的一侧，外延层与衬底的掺杂类型相同；第一掺杂类型区和阱区位于外延层远离衬底的表面；阱区包括相互连接的第一子区和第二子区，第一子区位于第一掺杂类型区邻近衬底的一侧，第一掺杂类型区具有在第一方向上相对的第一侧和第二侧，第二子区位于第一掺杂类型区的第二侧；阱区为第二掺杂类型；栅氧层位于阱区远离衬底的一侧，栅氧层覆盖第二子区和部分第一掺杂类型区；栅极位于栅氧层远离衬底的一侧，栅极覆盖部分栅氧层，栅极在衬底的垂直投影与第二子区在衬底的垂直投影重合。本发明可以减小寄生电容，提高器件性能。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一掺杂类型；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同；第一掺杂类型区和阱区位于所述外延层远离衬底的表面；所述阱区包括相互连接的第一子区和第二子区，所述第一子区位于第一掺杂类型区邻近所述衬底的一侧；所述第一掺杂类型区具有在第一方向上相对的第一侧和第二侧，所述第一方向为所述第一掺杂类型区指向所述第二子区的方向，且垂直于所述衬底指向所述外延层的方向；所述第二子区位于所述第一掺杂类型区的第二侧；所述阱区为第二掺杂类型；栅氧层，所述栅氧层位于所述阱区远离所述衬底的一侧，所述栅氧层覆盖所述第二子区和部分第一掺杂类型区；栅极，所述栅极位于所述栅氧层远离所述衬底的一侧，所述栅极覆盖部分所述栅氧层，所述栅极在所述衬底的垂直投影与所述第二子区在所述衬底的垂直投影重合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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