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申请/专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种沟槽栅功率器件，终端区环绕在原胞区的周侧。在原胞区中形成有沟槽栅功率器件的器件单元结构。终端结构包括环绕在原胞区的周侧且和体区接触的JTE区和一根以上的源极沟槽，各源极沟槽呈环形结构并环绕在原胞区的周侧，各源极沟槽从JTE区的顶部表面向下延伸；在源极沟槽的内侧表面形成有第二介质层以及在源极沟槽中填充有源极导电材料层，源极导电材料层连接到由正面金属层组成的第一电极，第一电极提供一固定电位并使源极导电材料层作为各栅极导电材料层的屏蔽结构，以降低栅极导电材料层的电压变化对器件耐压的影响。本发明能降低器件开关过程中形成的栅极负压对器件的耐压的不利影响，使器件的击穿电压能保持稳定。
主权项：1.一种沟槽栅功率器件，其特征在于，包括：原胞区和终端区，所述终端区环绕在所述原胞区的周侧；在所述原胞区中形成有沟槽栅功率器件的器件单元结构；所述器件单元结构包括：由第一导电类型的第一外延层组成的漂移区；形成于所述漂移区表面的第二导电类型掺杂的体区；穿过所述体区的沟槽栅，所述沟槽栅包括形成于栅极沟槽的内侧表面的栅介质层以及填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层，所述栅极导电材料层的顶部连接到由正面金属层组成的栅极；在所述原胞区中，所述栅极沟槽排列成阵列结构；终端结构形成于所述终端区中，所述终端结构包括：形成于延伸到所述终端区中的所述漂移区表面的第二导电类型掺杂的JTE区，所述JTE区的掺杂浓度低于所述体区的掺杂浓度，所述JTE区环绕在所述原胞区的周侧且和所述体区接触；一根以上的源极沟槽，各所述源极沟槽呈环形结构并环绕在所述原胞区的周侧，各所述源极沟槽从所述JTE区的顶部表面向下延伸；在所述源极沟槽的内侧表面形成有第二介质层以及在所述源极沟槽中填充有源极导电材料层，所述源极导电材料层连接到由正面金属层组成的第一电极，所述第一电极提供一固定电位并使所述源极导电材料层作为各所述栅极导电材料层的屏蔽结构，以降低所述栅极导电材料层的电压变化对器件耐压的影响。
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百度查询： 上海鼎阳通半导体科技有限公司 沟槽栅功率器件
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