龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：半导体结构包括衬底和外延层；第一掺杂类型区位于外延层远离衬底的表面；第一通孔贯穿绝缘层且露出部分第一掺杂类型区；欧姆接触层位于第一通孔内部；沟道层包括第一子区、第二子区和第三子区，第二子区在衬底的正投影和欧姆接触层在衬底的正投影重合；第一子区位于第三子区远离第二子区的一侧；栅氧层覆盖沟道层暴露沟道层两侧边缘的第一子区；第三子区在衬底的正投影和栅极在衬底的正投影重合。本发明可以提高沟道迁移率，且不改变原有的反向击穿特性。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：半导体结构，其中，所述半导体结构包括衬底和外延层，所述衬底为第一掺杂类型；所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同；第一掺杂类型区位于所述外延层远离衬底的表面；绝缘层，所述绝缘层位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述绝缘层设置有第一通孔，所述第一通孔贯穿所述绝缘层，且露出部分所述第一掺杂类型区；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述第一通孔内部沟道层，所述沟道层位于所述欧姆接触层远离所述衬底的一侧，所述沟道层覆盖所述欧姆接触层和所述绝缘层；所述沟道层包括第一子区、第二子区和第三子区，所述第二子区在所述衬底的正投影和所述欧姆接触层在所述衬底的正投影重合；所述第一子区位于所述第三子区远离所述第二子区的一侧；第一子区和第二子区为第一掺杂类型；栅氧层，所述栅氧层位于所述沟道层远离所述衬底的一侧，所述栅氧层覆盖所述第二子区、所述第三子区和部分所述第一子区；栅极，所述栅极位于所述栅氧层远离所述衬底的一侧，所述栅极覆盖部分所述栅氧层，所述第三子区在所述衬底的正投影和所述栅极在所述衬底的正投影重合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号