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存储器及其制作方法、存储系统 

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

摘要:本申请公开了一种存储器及其制作方法、存储系统。其包括以下步骤:形成相间隔的多个沟道结构、以及位于相邻的沟道结构之间的间隔部,沟道结构沿第一方向延伸;去除部分沟道结构,以在相邻的间隔部之间形成多个第一凹槽;在第一凹槽内形成掩膜部,且掩膜部凸出于第一凹槽外,以在相邻的掩膜部之间形成第二凹槽;在第二凹槽内形成隔垫部,并去除掩膜部,以在相邻的隔垫部之间形成第三凹槽;在第三凹槽内形成导电连接部,导电连接部沿第一方向连接于沟道结构。本申请可以实现导电连接部的高度可控,以满足不同的设计需求,提高了存储器的适用性。

主权项:1.一种存储器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:形成相间隔的多个沟道结构、以及位于相邻的所述沟道结构之间的间隔部,所述沟道结构沿第一方向延伸;去除部分所述沟道结构,以在相邻的所述间隔部之间形成多个第一凹槽;在所述第一凹槽内形成掩膜部,且所述掩膜部凸出于所述第一凹槽外,以在相邻的所述掩膜部之间形成第二凹槽;在所述第二凹槽内形成隔垫部,并去除所述掩膜部,以在相邻的所述隔垫部之间形成第三凹槽;在所述第三凹槽内形成导电连接部,所述导电连接部沿所述第一方向连接于所述沟道结构。

全文数据:

权利要求:

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