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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

摘要：阵列中的每一存储器单元包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括底部电极、存储器元件及顶部电极。在由存储器单元形成的阵列之上形成蚀刻终止介电层。在蚀刻终止介电层之上形成第一介电基质层。由于形貌，第一介电基质层的顶表面在存储器阵列区中相对于逻辑区中凸起。通过使用蚀刻终止介电层的顶部分执行化学机械平坦化工艺来对第一介电基质层进行平坦化。在第一介电基质层之上形成第二介电基质层。穿过第二介电基质层在顶部电极的相应子集上在蚀刻终止介电层的横向环绕由垂直堆叠形成的阵列的垂直突出部分之上形成金属单元接触结构。

主权项：1.一种存储器装置，包括：由存储器单元形成的阵列，上覆在衬底上且位于存储器阵列区中，所述存储器单元中的每一者包括包含底部电极、存储器元件及顶部电极的垂直堆叠；逻辑区，位于所述存储器阵列区之外且没有存储器单元；蚀刻终止介电层，包括遍及所述存储器阵列区及所述逻辑区连续地延伸的水平延伸部分，且包括由垂直突出部分形成的阵列，所述垂直突出部分横向环绕所述由存储器单元形成的阵列中的每一存储器单元，其中所述垂直突出部分中的每一者包括位于最顶区处的相应开口及位于包括所述顶部电极的顶表面的水平平面内的相应环形最顶表面；以及金属单元接触结构，接触所述顶部电极的相应子集及所述蚀刻终止介电层的所述垂直突出部分的相应子集，其中所述存储器装置包括选自以下的至少一个特征：第一特征，包括：第一介电基质层，上覆在所述蚀刻终止介电层的所述水平延伸部分上，且横向环绕所述蚀刻终止介电层的所述由垂直突出部分形成的阵列；以及第二介电基质层，上覆在所述第一介电基质层上，并且具有位于包括所述顶部电极的所述顶表面的所述水平平面内的底表面且具有位于包括所述金属单元接触结构的顶表面的水平平面内的顶表面；第二特征，包括：金属内连结构，形成在介电材料层中且位于所述蚀刻终止介电层与所述衬底之间；以及存储器单元级金属内连结构，位于所述逻辑区中，延伸穿过所述蚀刻终止介电层的所述水平延伸部分且具有在包括所述金属单元接触结构的顶表面的水平平面内的顶表面，其中所述存储器单元级金属内连结构中的至少一者包括集成式线与通孔结构，所述集成式线与通孔结构包括线部分且包括通孔部分，所述线部分具有位于包括所述顶部电极的所述顶表面的所述水平平面下方的平坦底表面，所述通孔部分延伸穿过所述蚀刻终止介电层的所述水平延伸部分；第三特征，包括：金属内连结构，形成在介电材料层中且位于所述蚀刻终止介电层与所述衬底之间；以及由底部电极连接通孔结构形成的阵列，所述底部电极连接通孔结构接触所述由存储器单元形成的阵列的所述底部电极中的相应一者且接触在所述介电材料层中形成的所述金属内连结构中的相应一者；第四特征，其中：所述底部电极中的每一者包括接触所述蚀刻终止介电层的相应侧壁；且所述存储器装置进一步包括由介电间隔件形成的阵列，所述介电间隔件横向环绕并接触所述由存储器单元形成的阵列中的相应存储器单元，其中所述由介电间隔件形成的阵列中的每一介电间隔件被所述蚀刻终止介电层的相应侧壁横向环绕并接触；以及第五特征，其中：所述金属单元接触结构中的至少一者包括：平坦底表面，接触所述顶部电极中的相应一者的平坦顶表面；以及锥形向下突出部分，向下延伸到包括所述顶部电极的所述顶表面的所述水平平面下方且接触所述蚀刻终止介电层的所述垂直突出部分中的相应一者的锥形外侧壁。

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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法