龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了含p掺杂的薄层或过渡金属二硫属化物TMD层的结构和p掺杂薄层或TMD层的方法。含p掺杂的薄层的结构还包括在分数x界限0x0.25内掺杂有Cd、As、Cr、Pd、Sc、V、Sn、Mo、Mn、Ti、Ge、Ag、Ni、In或Ga的氧化物高k栅极电介质层，其中，薄层具有10nm或更小的厚度；含p掺杂的TMD层的结构还包括在分数x界限0x0.2内掺杂有Cr、V、Sn、Mo、Mn、Ti、Ge、Ag、Ni、In或Ga的二元氧化物高k栅极电介质层。p掺杂薄层的方法包括在分数x界限0x0.25内用Cd、As、Cr、Pd、Sc、V、Sn、Mo、Mn、Ti、Ge、Ag、Ni、In或Ga掺杂氧化物高k栅极电介质层，从而通过表面电荷转移掺杂来p掺杂薄层，其中，薄层具有10nm或更小的厚度。
主权项：1.一种包括p掺杂的薄层的结构，所述结构还包括氧化物高k栅极电介质层，所述氧化物高k栅极电介质层在分数x界限0x0.25内掺杂有Cd、As、Cr、Pd、Sc、V、Sn、Mo、Mn、Ti、Ge、Ag、Ni、In或Ga，其中，所述薄层具有10nm或更小的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括p掺杂的薄层或p掺杂的过渡金属二硫属化物层的结构以及用于p掺杂薄层或p掺杂过渡金属二硫属化物层的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号