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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列，包括P型衬底；位于P型衬底内的N阱；位于N阱上的挨着的第一、第二和第三多晶硅栅，第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第一多晶硅栅极；第二多晶硅栅包括栅氧层和位于栅氧层上方的第二多晶硅栅极；第三多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第三多晶硅栅极；以及源极和漏极。本发明还提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列的操作方法，在N阱、第一、第二和第三多晶硅栅极、源极和漏极施加各操作电压，以实现写入、擦除和读取操作。本发明的P沟道分栅SONOS存储器阵列既比传统的SONOS存储阵列节省面积，在工艺制造中，又比N沟道SONOS存储器省了一张深N阱的光罩，节约了工艺成本。
主权项：1.一种P沟道分栅SONOS存储器阵列，其特征在于，包括：P型衬底；N阱，位于所述P型衬底中；第一、第二和第三多晶硅栅，所述第一、第二和第三多晶硅栅之间没有源、漏极，只有隔离侧墙，位于所述N阱上方；以及源极和漏极，位于所述多晶硅栅两侧的所述N阱中且均为P型掺杂；所述第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于所述ONO介质层上方的第一多晶硅栅极；所述第二多晶硅栅包括栅氧层和位于所述栅氧层上方的第二多晶硅栅极；所述第三多晶硅栅包括ONO介质层和位于所述ONO介质层上方的第三多晶硅栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法
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