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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种SONOS存储器及其制造方法和使用方法，所述SONOS存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其存储单元管和选择管的栅介质层为ONO层；ONO层由依次形成于硅衬底表面的氧化硅，氮化硅，氧化硅组成。本发明利用现有的制作工艺无需额外开发工艺以及额外光罩，在刻蚀0N0层是主动保留选择管区域的ONO层作为栅介质层，通过上述结构改进，在基于需求对SONOS通过对ONO进行写入动作或擦除动作时间改变，进而改变选择管电容VT，实现选择管电容工作电压变化。
主权项：1.一种SONOS存储器，包括形成于硅衬底上的存储单元管和选择管，其特征在于：存储单元管和选择管的栅介质层为ONO层；ONO层由依次形成于硅衬底表面的氧化硅，氮化硅，氧化硅组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 SONOS存储器及其制造方法和使用方法
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