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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其SONOS结构的嵌入方法，属于图像传感器技术领域，该CMOS图像传感器的SONOS结构的嵌入方法，包括提供衬底，所述衬底的顶部具有控制栅，在所述衬底上形成光刻胶层，以暴露出所述控制栅的表面，在所述控制栅上形成依次形成隧穿氧化层和氮化层，在所述隧穿氧化层的周围沉积形成栅极氧化层，后在所述氮化层上形成顶部氧化层。通过将SONOS嵌入CMOS图像传感器，增加了CMOS图像传感器存储能力，减少了需搭载其他芯片的可能性，减少面积占比，甚至可增加程序控制及图像传输能力。
主权项：1.一种CMOS图像传感器的SONOS结构的嵌入方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底的顶部具有控制栅，在所述衬底上形成光刻胶层，以暴露出所述控制栅的表面，在所述控制栅上形成依次形成隧穿氧化层和氮化层，在所述隧穿氧化层的周围沉积形成栅极氧化层，后在所述氮化层上形成顶部氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 CMOS图像传感器及其SONOS结构的嵌入方法
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