龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种嵌入式SONOS存储器的制造方法，包括提供衬底，在衬底中形成有源区；进行逻辑区阱注入；在衬底上依次形成栅氧化层和第一多晶硅层；刻蚀去除位于存储区的第一多晶硅层，对存储区进行阱注入；刻蚀去除位于存储区的栅氧化层，在衬底上方形成ONO层；进行选择管源端注入，刻蚀去除位于选择管的ONO层；生长选择管栅氧化层，并在衬底上形成第二多晶硅层；刻蚀位于存储区的第二多晶硅层，对存储区进行轻掺杂注入。本发明逻辑区、存储区多晶硅栅分别生长和刻蚀，厚度和尺寸可根据需要分别调控；逻辑区、选择管栅氧分别生长可单独调控；SONOS管和选择管使用同一多晶硅栅工艺便于集成；存储区阱、轻掺杂和选择管注入均使用自对准注入，有利于节省光罩。
主权项：1.一种嵌入式SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底，在所述衬底中形成有源区；步骤二、进行逻辑区阱注入；步骤三、在所述衬底上依次形成栅氧化层和第一多晶硅层；步骤四、刻蚀去除位于存储区的所述第一多晶硅层，对所述存储区进行阱注入；步骤五、刻蚀去除位于所述存储区的所述栅氧化层，在所述衬底上方形成一覆盖的ONO层；步骤六、进行选择管源端注入，刻蚀去除位于所述选择管的所述ONO层；步骤七、选择管栅氧化层生长后，在所述衬底上形成第二多晶硅层；步骤八、刻蚀位于所述存储区的所述第二多晶硅层以形成选择管栅极和存储管栅极，对所述存储区进行轻掺杂注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种嵌入式SONOS存储器的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号