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一种自补偿型横向热电薄膜光热传感器及其制备方法 

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申请/专利权人:河北大学

摘要:本发明提供了一种自补偿型横向热电薄膜光热传感器及其制备方法。本发明所提供的横向热电薄膜光热传感器包括金属电极、电压引线、传感元件、斜切衬底。传感元件是在斜切衬底上倾斜生长PbSe:Pb纳米复合薄膜,金属电极位于薄膜表面两端,并与引线相连接。增强光热探测性能的方法是在斜切衬底上制备的PbSe薄膜中引入Pb纳米颗粒,形成PbSe:Pb纳米复合薄膜。该Pb自补偿掺杂薄膜具有结晶质量好、工艺简单、成本低廉且光热探测性能优异的特点,适用于设计高灵敏、快响应的PbSe:Pb薄膜光热传感器。利用自补偿掺杂的方法显著增强了横向热电薄膜光热探测性能,在光热辐射探测、热流感应、废热利用等方面具有广阔的应用前景。

主权项:1.一种自补偿型横向热电薄膜光热传感器,其特征是,包括斜切衬底,在所述斜切衬底上倾斜生长有PbSe:Pb纳米复合薄膜,在PbSe:Pb纳米复合薄膜上设有电极,电极连接电压引线。

全文数据:

权利要求:

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