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基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器 

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申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

摘要:本发明提供了一种基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器,涉及光电集成器件技术领域,包括:光子芯片及光纤8;光子芯片从下至上依次包括衬底硅1、埋氧层2、硅反射层3、氧化硅隔离层4、锆钛酸铅薄膜层5、波导耦合光栅6、氧化硅包埋层7;光纤(8)设置在氧化硅包埋层7上方;其中,波导耦合光栅6依次包括第一光栅、第二光栅和第三光栅,在锆钛酸铅薄膜层5上刻蚀形成,第一光栅、第二光栅和第三光栅均为非对称结构且光栅周期不同,以减小背反射并使光子芯片的向上衍射光场与光纤(8)的模场匹配。

主权项:1.一种基于锆钛酸铅薄膜波导的非对称非均匀光栅耦合器,其特征在于,包括:光子芯片及光纤8;所述光子芯片从下至上依次包括衬底硅1、埋氧层2、硅反射层3、氧化硅隔离层4、锆钛酸铅薄膜层5、波导耦合光栅6、氧化硅包埋层7;所述光纤(8)设置在所述氧化硅包埋层7上方;其中,所述波导耦合光栅6依次包括第一光栅、第二光栅和第三光栅,在所述锆钛酸铅薄膜层5上刻蚀形成,所述第一光栅、所述第二光栅和所述第三光栅均为非对称结构且光栅周期不同,以减小背反射并使所述光子芯片的向上衍射光场与所述光纤(8)的模场匹配。

全文数据:

权利要求:

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