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存储器阵列及存内计算电路 

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申请/专利权人:北京大学

摘要:本发明提供一种存储器阵列及存内计算电路,其中的存储器阵列包括呈阵列分布的存储单元,存储单元包括互补的第一存储结构和第二存储结构;其中,第一存储结构包括第一晶体管以及连接在第一晶体管的漏极上的第一存储器;第二存储结构包括第二晶体管以及连接在第二晶体管的漏极上的第二存储器;第一存储结构和第二存储结构之间相互隔离,且第一存储结构和第二存储结构呈中心对称。利用上述发明能够在晶体管栅宽栅长WL较小的情况下,消除存储器阵列非对称权重读取问题。

主权项:1.一种存储器阵列,其特征在于,包括呈阵列分布的存储单元,所述存储单元包括互补的第一存储结构和第二存储结构;其中,所述第一存储结构包括第一晶体管以及连接在所述第一晶体管的漏极上的第一存储器;所述第二存储结构包括第二晶体管以及连接在所述第二晶体管的漏极上的第二存储器;所述第一存储结构和所述第二存储结构之间相互隔离,且所述第一存储结构和所述第二存储结构的拓扑结构呈中心对称;设定电流方向由所述第二存储结构流至所述第一存储结构,其中,所述第一晶体管的栅极与字线WL-连接,所述第一晶体管的源极与位线BL-连接,所述第一存储器与源线SL连接;所述第二晶体管的栅极与字线WL+连接,所述第二晶体管的源极与所述源线SL连接,所述第二存储器与位线BL+连接。

全文数据:

权利要求:

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