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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：在特定的例子中，低漂移电压参考系统包括齐纳二极管电路110、116、电压降低电路120和与绝对温度成比例PTAT电路130。耦合在第一电源端112例如，VDD与第二电源端114例如，公共端之间的所述齐纳二极管电路提供输入参考电压电平。所述电压降低电路120提供所述输入参考电压电平的另一个降低版本。所述PTAT电路130具有第一差分路径和第二差分路径以在所述PTAT电路的输出节点140处提供输出参考电压，并且具有反馈路径144以从所述输出节点汲取反馈电流以控制差分电路130。
主权项：1.一种半导体设备，其特征在于，包括：-齐纳二极管电路，所述齐纳二极管电路耦合在第一电源端与第二电源端之间，以提供输入参考电压电平；-电压降低电路，所述电压降低电路用以提供跟踪另一输入参考电压电平的另一个输入参考电压电平；以及-与绝对温度成比例电路，所述与绝对温度成比例电路包括差分电路，所述差分电路具有第一差分路径和第二差分路径以在所述与绝对温度成比例电路的输出节点处提供输出驱动电流和输出参考电压，具有到达所述输出节点的前馈路径；所述第一差分路径包括第一晶体管电路以在所述第一电源端与所述第二电源端之间传递电流，所述第一晶体管电路具有响应于所述另一输入参考电压电平而被驱动的控制端；所述第二差分路径包括第二晶体管电路以在所述第一电源端与所述第二电源端之间传递电流，所述晶体管电路具有响应于在所述输出节点处的所述输出参考电压而被驱动的控制端；所述与绝对温度成比例电路被配置成提供温度补偿水平，所述温度补偿水平由第一晶体管电路和第二晶体管电路的电流密度比率来设定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恩智浦美国有限公司 具有温度变化补偿的电压参考产生
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