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申请/专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司

摘要：本发明公开了一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法，所述方法包括：当接收到第一刻蚀指令时，则对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；当抽真空处理完成时，则向反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体；根据氢氧等离子体对待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的生长面杂质去除；当接收到第二刻蚀指令时，则获取氢等离子体，并根据氢等离子体对待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的背面杂质去除。本发明通过MPCVD设备激发氢气和氧气产生氢氧等离子体，能够对金刚石表面杂质进行有效去除，保证了金刚石质检的正常进行。

主权项：1.一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法，其特征在于，所述基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法包括：当接收到第一刻蚀指令时，则根据所述第一刻蚀指令对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；在金刚石生长过程中，将金刚石朝上靠近等离子体的一面定义为生长面，把金刚石朝下和钼托相接触的一面定义为背面；生长面和背面都有杂质，生长面的杂质多于背面；氧等离子体的刻蚀强于氢等离子体，采用氢气和氧气混合的等离子体对金刚石生长面进行刻蚀，采用氢气等离子体对金刚石背面进行刻蚀；所述当接收到第一刻蚀指令时，则根据所述第一刻蚀指令对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理，具体包括：将待刻蚀金刚石以生长面朝上的方式放置在钼托上；将承载有所述待刻蚀金刚石的所述钼托放置在MPCVD设备的反应腔体的基片台上，并进行密封处理；当接收到用户下发的第一刻蚀指令时，则启动所述MPCVD设备，并根据所述第一刻蚀指令对所述待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；当抽真空处理完成时，则向所述反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并对所述氢气和所述氧气进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体；所述氢氧等离子体包括氢等离子体和氧等离子体；所述当抽真空处理完成时，则向所述反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并对所述氢气和所述氧气进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体，具体包括：当抽真空处理完成时，则向所述反应腔体充入第一预设流量范围的氢气，并对所述反应腔体的腔内气压进行实时监测；当所述腔内气压达到第一预设气压范围时，则对所述氢气进行等离子体激发处理，得到氢等离子体，并根据所述氢等离子体对所述待刻蚀金刚石的生长面进行初始刻蚀处理；向所述反应腔体充入预设流量范围的氧气，并对所述氧气进行等离子体激发处理，得到氧等离子体；所述向所述反应腔体充入预设流量范围的氧气，并对所述氧气进行等离子体激发处理，得到氧等离子体，具体包括：将所述氢气的流量进行增大处理，当所述氢气的流量达到第二预设流量范围时，则向所述反应腔体充入第三预设流量范围的氧气；对所述腔内气压以及腔内微波功率进行增大处理，并对所述待刻蚀金刚石的表面温度进行实时监测；当所述表面温度达到第一预设温度范围时，对所述氧气进行等离子体激发处理，得到氧等离子体；根据所述氢氧等离子体对所述待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成所述待刻蚀金刚石的生长面杂质去除；所述根据所述氢氧等离子体对所述待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成所述待刻蚀金刚石的生长面杂质去除，具体包括：根据所述氢等离子体和所述氧等离子体对所述待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，当生长面刻蚀处理的时间达到第一预设时间范围时，则关闭所述MPCVD设备进行腔体冷却；当腔体冷却后的金刚石的表面温度与室温一致时，从所述MPCVD设备的反应腔内取出冷却完成的金刚石，所述待刻蚀金刚石的生长面刻蚀完成；当生长面刻蚀处理完成且接收到第二刻蚀指令时，则根据所述第二刻蚀指令获取氢等离子体，并根据所述氢等离子体对所述待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理，以完成所述待刻蚀金刚石的背面杂质去除。

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