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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司

摘要：本发明公开一种NANDFlash读DQS采样方法，本方法将DQS看作数据信号，使用与其频率相同的NANDFlashPHY时钟clk_phy实现读DQS的采样，节省了时钟资源，其中，clk_phy需要经过时钟管理单元MMCM进行相移，以达到最佳采样位置。本方法并介绍了读DQS相移控制逻辑及训练方法，该方法灵活快捷准确，并可随着NANDFlash型号及使用工况的不同选择最佳的读DQS采样位置，避免亚稳态的发生。

主权项：1.一种NANDFlash读DQS采样方法，其特征在于：本方法将DQS看作数据信号，使用与其频率相同的NANDFlashPHY时钟clk_phy实现读DQS的采样，其中，clk_phy需要经过时钟管理单元MMCM进行相移，以达到最佳采样位置；clk_phy进行相移的过程为：对clk_phy进行训练，在训练过程中，相移值shift_val从0一直增大到最大值，同时进行读操作，记录下每个shift_val值对应的dqs_underrun的值，dqs_underrun的值标志着读DQS在读过程中没有被clk_phy正确采样，这样会形成一个数据眼图，其中1表示眼图闭合，表示使用当前相移值，clk_phy上升沿无法采样到正确的读DQS，0表示眼图打开，表示使用当前相移值，clk_phy上升沿可以采样到正确的读DQS，将dqs_underrun为0时的shift_val中间值作为最终的clk_phy相移值，产生最终的读时钟clk_rd，即可准确的用clk_rd采样到读DQS；通过相移状态控制机进行clk_phy训练，相移状态控制机共有6种状态：空闲状态、复位状态、计算状态、请求相移状态、等待相移状态和响应状态，相移状态控制机默认为空闲状态，当接收到相移调节信号为1时，进入复位状态，若此时复位信号有效，则保持在复位状态，若无效则进入相移计算状态，相移计算状态的转移条件受两个信号控制：相移锁定信号和相移计数值，相移锁定信号为1表示计算状态能稳定输出，相移控制状态机将接收到的相移初始值shift_val赋值给相移计数值，在相移请求状态时对输入时钟clk_phy进行相移，相移值shift_val从0一直增大到最大值，等待相依状态等待相移完成，相移完成后进入响应状态，最后进入空闲状态；本方法的实施步骤为：S01）、读DQS进入IDDR，使用clk_rd进行采样，输出q0和q1，其中q0为在clk_phy上升沿采样的读DQS电平，标记为dqs_valid，q1为在clk_phy下降沿采样到的读DQS电平，本方法中仅使用到q0；S02）、定义dfi_dqs_underrun，它标志着读DQS在读过程中没有被clk_rd正确采样，判断条件为dqs_valid为0且PHY接收到的DFI接口读数据使能信号dfi_rddata_en为1；S03）、clk_phy经过时钟管理单元MMCM后产生读时钟clk_rd，并对clk_rd进行训练，使其产生相移；S04）、将DQS看作数据信号，使用与其频率相同的读时钟clk_rd实现读DQS的采样。

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